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本報訊（記者 吳量亮）日前，合肥長鑫存儲技術有限公司與美國半導體公司藍鉑世簽署專利許可協議。依據此協議，長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態隨機存取存儲（DRAM）技術專利的實施許可。

長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明表示：“與藍鉑世達成的協議再次表明，長鑫存儲高度重視知識產權相關的國際規則，持續強化知識產權組合。公司致力于通過自主研發與國際合作，不斷增加在半導體核心技術和高價值知識產權方面的積累，并以此為基礎實現可持續發展，穩步提升市場競爭力。”

藍鉑世總裁兼首席執行官Luc Seraphin表示：“在中國DRAM市場投資顯著增長的背景下，長鑫存儲脫穎而出，成為中國DRAM產業的引領者。我們高興地看到長鑫存儲走上DRAM產業的國際舞臺。”

存儲器芯片是中國芯片市場中的最大品類，DRAM被喻為連接中央處理器的“數據高速公路”，廣泛應用于高性能計算、工業設備、消費電子等電子產品之中。DRAM項目科技含量高、技術難度大、制程非常復雜，此前我國長期依賴進口。去年投產的長鑫存儲，是我國第一家投入量產的DRAM芯片設計制造一體化企業。